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FDD10AN06A0

更新时间:2025-07-03 10:18:20

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只供原装，欢迎咨询

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十年配单，只做原装

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注重品质，价格优势

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原装现货可出样

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专注电子元件十年，只做原装现货

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国产品牌isc，替代进口

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FAIRCHILD
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上海原装现货库存，欢迎查询

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FAIRCHILD/仙童
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现货假一罚万只做原厂原装现货

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只做现货，一站式配单

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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD10AN06A0 概述

FDD10AN06A0是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效直流-直流转换器、负载点(POL)稳压器以及电机驱动等应用场合。在电源管理电路中，这款MOSFET常用于同步整流和初级侧开关。其优秀的热性能确保了在高密度PCB布局中的可靠运行。使用时应注意栅极驱动电压的选择，推荐使用10V驱动以获得最佳导通电阻。设计电路板时，要保证源极和漏极引脚的布线尽可能短而宽，以减小寄生电感并提高整体效率。在实际应用中，可以参考安森美提供的应用笔记来优化PCB布局和散热设计。

FDD10AN06A0 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10.5 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
37nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1840pF @ 25V
功率 - 最大
135W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252AA
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDD10AN06A0-NDFDD10AN06A0TR

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