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BUZ81

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BUZ81 概述

1是由意法半导体生产的N沟道功率MOSFET。它采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流处理能力，典型漏极电流可达9A。其栅极电荷较低，有助于提高开关速度，在高频应用中表现优异。该器件的击穿电压为50V，适用于多种电源管理和电机驱动应用。在开关电源中，BUZ81可用于高效DC-DC转换器的设计，实现能量的有效传输与转换。对于电机驱动应用，它能够可靠地控制电动机的速度和方向。使用时应注意合理设计散热系统以保证器件工作温度处于安全范围内。在电路布局上要确保栅极线路尽可能短以减少噪声干扰，同时也要注意适当的退耦电容配置以稳定电源电压。

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