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NSBC124EDXV6T1G

更新时间:2025-06-12 04:40:53

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ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

封装:SOT-563，SOT-666

NSBC124EDXV6T1G 概述

NSBC124EDXV6T1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款表面贴装双NPN晶体管。该型号采用超小尺寸的DFN封装，具有低饱和电压和高电流增益的特点，适用于需要紧凑设计的电路中。其集电极-发射极击穿电压为40V，最大集电极电流可达1.2A。由于其良好的电气特性和小型化封装，广泛应用于消费类电子产品如手机、平板电脑等设备中的电源管理电路、信号放大及开关应用。在实际使用时，需注意散热设计以确保可靠工作。

NSBC124EDXV6T1G 规格参数

标准包装
4,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
22k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
60 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商设备封装
SOT-563
包装
带卷 (TR)
其它名称
NSBC124EDXV6T1GOSNSBC124EDXV6T1GOS-NDNSBC124EDXV6T1GOSTR

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