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NTB45N06T4

更新时间:2025-06-19 20:29:07

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NTB45N06T4 规格参数

制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
45 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.026 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK
封装
Reel
下降时间
106 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
16.6 S
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
125 W
上升时间
101 ns
工厂包装数量
800
典型关闭延迟时间
33 ns

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