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NTGS5120PT1G

更新时间:2025-05-18 00:42:44

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NTGS5120PT1G
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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订货、调货

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NTGS5120PT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP

封装:SC-74，SOT-457

NTGS5120PT1G 概述

NTGS5120PT1G是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装。该器件设计用于低电压、高效率的开关应用中。其最大漏源电压为20V，适合于负载切换和电源管理电路中。典型应用场景包括便携式设备中的DC-DC转换器、电池保护电路以及低压降稳压器（LDO）。由于其低导通电阻（Rds(on)），在实际使用中能有效降低功耗，提高系统效率。对于需要快速开关特性的电路，如同步整流电路，NTGS5120PT1G也是一个理想选择。在设计时应注意适当的散热措施以确保稳定工作，特别是在大电流应用场合。根据具体需求调整栅极驱动电阻值可以优化开关速度与EMI性能之间的平衡。

NTGS5120PT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
111 毫欧 @ 2.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
18.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
942pF @ 30V
功率 - 最大
600mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-74，SOT-457
供应商设备封装
6-TSOP
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTGS5120PT1G-NDNTGS5120PT1GOSTR

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