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SPB100N06S2-05

更新时间:2025-07-06 05:03:48

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SPB100N06S2-05 概述

SP00N06S2-05是英飞凌科技公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率和高性能应用而设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为60V，适合于需要高效电能转换的场景。典型应用场景包括直流-直流转换器、电源管理模块以及电机驱动电路等。在电池供电设备中，它可以有效降低能量损耗，延长设备运行时间。由于其优秀的热稳定性和可靠性，在工业控制领域也有广泛应用。使用时需注意，栅极驱动电压应保持在规定范围内以确保最佳性能。对于高频应用，合理布局PCB走线，减少寄生电感影响，有助于提升整体系统效率。设计电路时可参考英飞凌提供的应用指南进行栅极电阻选择和散热设计。

SPB100N06S2-05 规格参数

现有数量
0现货
系列
OptiMOS?
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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