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2.2n供应商优质现货

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  • 智能卡的卡体测试

    ;坝刂试规程iso/iec 10373) 某些类型的塑料的形状与大小,随大气温度的变化而明显改变。因此,卡满足标准的能力也必须在这些条件下测试。测试时,卡平放在一表面上而改变温度与湿度,测试条件为-35℃,+50℃和+25℃时相对湿度为5%以及+25℃时相对湿度为95%,每次在这些条件中暴露ω分钟后,检验尺寸与形状相对于标准值的改变。 15,触点位置 (根据:iso 7816-2;测试规程:iso/iec 10373) 这项测试用来测量触点的位置。卡被放置到一平面上并受到2.2n±0.2n之力。接着,使用一种预期精度至少为0.05mm的方法测量触点相对于卡的边缘的位置。 16,光透明度 (根据:iso 7810;测试规程:iso/iec 10373) 某些卡具有嵌入薄膜上的光学条码。这项测试宜于用来决定覆盖层和卡体的其余部分的透明度。卡的一面用光源照明,在另一面用灵敏度为900nm光的检测器测量光的传输。 17,触点表面轮廓 (根据:iso 7816-1/2;测试规程:iso/iec 10373) 这项测试把单个触点的表面的轮廓与卡其

  • Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题

    在初级mos开通后到稳态时的电压为vo+ui/n,(vo为输出电压,ui输入电压,n为变压器初次级匝比),因为我们设计的rc的时间参数远小于开关周期,可以认为在一个吸收周期内,rc充放电能到稳态,所以每个开关周期,其吸收损耗的能量为:次级漏感尖峰能量+rc稳态充放电能量,近似为rc充放电能量=c*(vo+ui/n)^2(r上消耗能量,每个周期充一次放一次),所以rc吸收消耗的能量为 fsw*c*(vo+ui/n)^2,以dc300v输入,20v输出,变压器匝比为5,开关频率为100k,吸收电容为2.2nf为例,其损耗的能量为2.2n*(20+300/5)^2*100k=1.4w ; 采用rcd吸收,因为采用rcd吸收,其吸收能量包括两部分,一部分是电容c上的dc能量,一部分就是漏感能量转换到c上的尖峰能量,因为漏感非常小,其峰值电流由不可能太大,所以能量也非常有限,相对来讲,只考虑r消耗的直流能量就好了,以上面同样的参数,c上的直流电压为vo+ui/n=80v,电阻r取47k,其能量消耗为0.14w,相比上面的1.4w,“低碳”效果非凡。 再谈谈这两种吸收电路的特点及其他吸收电路:

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