K9K2G08U0M-VCB0
256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Fl...
SAMSUNG
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256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Fl...
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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电源电压：Vcc＝2.7～3.6V； 结构：存储器单元阵列：(256M十8192K)X8位﹐数据存储器：(2K+64)X8位﹐缓存存储器：(2K+64)X8位； 自动编程和擦除：页编程：(2K+64)字节﹐块擦除：(128K+4K)字节； 页读操作：页大小：2KB﹐随机存取：25μs(最大值)﹐串行访问：30ns(最小值)； 快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值)﹐块擦除时间：2ms(典型值)； 指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定； 可靠的CMOS准浮栅技术﹐100k次编程/擦除周期﹐10年的数据保留时间；指令存储器操作；上电自读操作；封装：48引脚的TSOP封装； 工作温度：-10～＋125℃
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