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当前位置：维库电子市场网>IC>fdfma2n028z 更新时间:2025-08-16 18:55:00

fdfma2n028z供应商优质现货

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  • fdfma2n028z

  • BOM配单

  • 只做原装正品，提供一站式配套服务

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  • FDFMA2N028Z

  • 7000

  • ON/安森美

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  • 只做原装现货

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  • Fairchild

  • MicroFET 2x2/2025+

  • 原装优势有货

  • FDFMA2N028Z

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  • FAIRCHILD

  • -/21+

  • 全新原装现货，长期供应，免费送样

  • FDFMA2N028Z

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  • Fairchild Semiconductor

  • 6MicroFET/21+

  • 一级代理 现货在库

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  • FAIRCHILD

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  • 原装，公司现货

  • FDFMA2N028Z

  • 1225

  • FAIRCHILD/仙童

  • DFN/24+

  • 原厂原装现货

  • FDFMA2N028Z

  • 3650

  • FAIRCHILD

  • 6MicroFET2x2/25+

  • 原装，现货库存

  • FDFMA2N028Z

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  • FAIRCHILD/仙童

  • NA//23+

  • 优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票

  • FDFMA2N028Z

  • 83121

  • ONSEMI/安森美

  • MicroFET6/24+

  • 专做MOS/ESD静电二三极管进口替代和技术支持

  • FDFMA2N028Z

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  • 原装FAIRCHI

  • DFN6/21+

  • 一级代理/放心采购

  • FDFMA2N028Z

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  • FAIRCHILD/仙童

  • 08PB/23+

  • 全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

  • FDFMA2N028Z

  • 9000

  • FAIRCHILD

  • DFN6/10+

  • 全新原装现货

  • FDFMA2N028Z

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  • ON Semiconductor(安森美)

  • DPAK/25+

  • 助力国营二十余载，一站式BOM配单

  • FDFMA2N028Z

  • 25000

  • FAIRCHILD/仙童

  • 6MICROFET/22+

  • 只有原装原装，支持BOM配单

  • FDFMA2N028Z

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  • ON/安森美

  • DFN20206/23+

  • 十年配单，只做原装

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  • 原装FAIRCHI

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  • 原装现货

  • FDFMA2N028Z

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  • FAIRCHILD

  • -/2025+

  • 一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

  • FDFMA2N028Z

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  • FSC

  • MICROFET22/23+ROHS

  • 原装，原厂渠道，十年BOM配单专家

  • FDFMA2N028Z

  • 7300

  • 原装FAIRCHI

  • DFN6/25+

  • 行业十年，价格超越代理， 支持权威机构检测

  • FDFMA2N028Z

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fdfma2n028z价格行情

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历史最低报价：￥0.0000 历史最高报价：￥0.0000 历史平均报价：￥0.0000

fdfma2n028z中文资料

  • Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品

    道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货:现货 交货期:收到订单后12周内 来源:小草

  • Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品

    mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货 交货期: 收到订单后12周内

  • 飞兆半导体的MLP封装MicroFET产品在小外形尺寸中提供出色的功耗特性

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  • 飞兆半导体推出7款MLP封装MicroFET产品

    ch mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

  • 飞兆推7款全新MicroFET 面向30V和20V应用

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  • 飞兆发布7款全新MicroFET，面向30V和20V应用

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fdfma2n028z替代型号

FDD8880 FDD8424H FDD6696 FDD6682 FDD6035AL FDD4141 FDC636P FDC633N FDC6321C FDC6020C

FDFMA2P029Z FDFMA2P853 FDFMA2P853T FDFMA2P857 FDFMA2P859T FDFME3N311ZT FDFMJ2P023Z FDG6303N FDG901D FDH333

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fdfma2n028z相关热门型号
FAN4274IMU8X FQP13N50 FQPF6N90C FDB6035AL FDS4675 FSA2467MPX FDD6670A FSD210 FDN359AN-NL FMMT459TA

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