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c是 pfc 电路rms输入电压；vout是直流输出电压。 在实际应用中，计算igbt在类似pfc电路中的传导损耗将更加复杂，因为每个开关周期都在不同的ic上进行。igbt的vce（sat）不能由一个阻抗表示，比较简单直接的方法是将其表示为阻抗rfce串联一个固定vfce电压，vce（ice）=ice×rfce+vfce。 图5中的示例仅考虑了ccm pfc电路的传导损耗，即假定设计目标在维持最差情况下的传导损耗小于15w。以fcp11n60 mosfet为例，该电路被限制在5.8a，而fgp20n6s2 igbt可以在9.8a的交流输入电流下工作。它可以传导超过mosfet 70% 的功率。 虽然igbt的传导损耗较小，但大多数600v igbt都是pt （punch through，穿透） 型器件。pt器件具有ntc （负温度系数）特性，不能并联分流。igbt 在开通过程中，大部分时间是作为mosfet 来运行的，只是在漏源电压uds 下降过程后期， pnp 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td（on） 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通
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