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RURP860 8A, 400V - 600V Ultrafast Diodes FAIRCHILD RURP860PDF下载
RURP860 8A, 400V - 600V Ultrafast Diodes INTERSIL RURP860PDF下载
RURP860 Diode Standard 600V 8A Through Hole ... RURP860PDF下载
RURP860 8A, 400V - 600V Ultrafast Diodes INTERSIL [Intersil Corporation] RURP860PDF下载
RURP860 8A, 400V - 600V Ultrafast Diodes FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] RURP860PDF下载
RURP860CC 8A, 400V - 600V Ultrafast Dual Diode... INTERSIL RURP860CCPDF下载
RURP860CC 8A, 400V - 600V Ultrafast Dual Diode... INTERSIL [Intersil Corporation] RURP860CCPDF下载

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历史最低报价：￥1.0000 历史最高报价：￥12.0000 历史平均报价：￥4.4600

利用开关器件提高PFC效率的实现
石为主要原料，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，性脆而锋利。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料，添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉。使用高压superfet和一个sic肖特基二极管组成的ccm pfc测试电路，具体地说，将fairchild公司的600-vn沟道superfet mosfet（fca20n60）和6a sic肖特基二极管组合，与平面型mosfet（fqa24n50）和超高速二极管（rurp860）组合进行比较，比较内容为开关损耗与功效。此测试电路的工作频率100khz,输出电压和电流分别为400v与1a.导通时superfet的栅电阻是12ω，关断时为9.1ω。分别测量mosfet与二极管的电压和电流来估算元件的功率损耗。并且量测输入与输出功率来计算系统的功效。满负荷下，mosfet信号波形由高电平向低电平跃迁时，输入为110vac,开关损耗通过vds与id的交叉区来测量。superfet开关时间大大地降低。平面型mosfet的关断损耗为159μj,superfet为125μj（

RURP860
电流参数：IF(AV)=8A/IFRM=16A/IFSM=100A/IR(UR=400V)=100μA电压参数：URRM=URWM=UR=600V/UF(IF=8A)=1.5V功率：PD=75W其他参数：trr=60ns备注：超快速二极管(IF(AV)为TC=155℃值)

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