STD5NK52ZD
20000
TO220FP/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
STD5NK52ZD
22500
IPAK TO251 TO 252 DPAK/16+RoHS
保证质量质优价好给你
STD5NK52ZD
16800
TO252/2020+
原装进口现货，假一赔十，价格优势
STD5NK52ZD
2500
DPAK/19+/20+
100%进口原装长期供应绝对优势价格(诚信经营)
STD5NK52ZD
9200
TO252/23+
只做原装更多数量在途订单
STD5NK52ZD
20000
TSSOP/2024+
17%原装.深圳送货
STD5NK52ZD
10
TO252/07+
全新原装现货
STD5NK52ZD
5000
TO252/2025+
原装现货，实单支持
STD5NK52ZD
10212
TO252/21+
原装现货终端免费提供样品
STD5NK52ZD
5000
TO252/23+
原装现货，实单支持
STD5NK52ZD
15988
DPAK/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单
STD5NK52ZD
28000
N/22+
原装现货只有原装.假一罚十
STD5NK52ZD
5246
NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票
STD5NK52ZD
6000
TO252/23+
原装现货，实单支持
STD5NK52ZD
2996
TO252/24+
原厂原装现货
STD5NK52ZD
50000
TO252/23+
原装现货，只做自己优势
STD5NK52ZD
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
原厂渠道，现货配单
STD5NK52ZD
1996
TO252/23+
原装现货，实单支持
STD5NK52ZD
63000
TO252/23+
原装现货
STD5NK52ZD
N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-...
STMICROELECTRONICS
STD5NK52ZDPDF下载
STD5NK52ZD-1
N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-...
STMICROELECTRONICS
STD5NK52ZD-1PDF下载
即从漏极到源极。电感l1对于流经q2和q1的尖峰电流表现出高阻抗。q1表现出额外的电流尖峰，增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了mosfet的导通过程。 为改善在这些特殊应用中体二极管的性能，研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性mosfet。当二极管导通后被反向偏置，反向恢复峰值电流irrm较小，完成恢复所需要的时间更短(见图3)。 图3：具有快速体二极管恢复特性mosfet，反向恢复峰值电流较小，恢复时间缩短。 我们对比测试了标准的mosfet和快恢复mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如图4b所示。在q1 mosfet(hf)的导通工作期间，开关损耗降低了65%。采用std5nk52zd时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下，壳温从60°c降低到50°c)。在这种拓扑中，mosfet内部的体二极管用作续流二极管，采用具有快速体二极管恢复特性mosfet更为合适。 图4：a) q2采用标准mosfet的开状态操作； b) q2采用st公司的std5nk52zd mosfet开状态操作。
极管d2被反向偏置， n区的少数载流子进入p+体区，反之亦然。这种快速转移导致大量的电流流经二极管，从n-epi到p+区，即从漏极到源极。电感l1对于流经q2和q1的尖峰电流表现出高阻抗。q1表现出额外的电流尖峰，增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了mosfet的导通过程。 为改善在这些特殊应用中体二极管的性能，研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性mosfet。当二极管导通后被反向偏置，反向恢复峰值电流irrm较小。 我们对比测试了标准的mosfet和快恢复mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如图4b所示。在q1 mosfet(hf)的导通工作期间，开关损耗降低了65%。采用std5nk52zd时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下，壳温从60°c降低到50°c)。在这种拓扑中，mosfet内部的体二极管用作续流二极管，采用具有快速体二极管恢复特性mosfet更为合适。 superfredmesh技术弥补了现有的fdmesh技术，具有降低导通电阻，齐纳栅保护以及非常高的dv/dt性能，并采用了快速体-
到p+区，即从漏极到源极。电感l1对于流经q2和q1的尖峰电流表现出高阻抗。q1表现出额外的电流尖峰，增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了mosfet的导通过程。 为改善在这些特殊应用中体二极管的性能，研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性mosfet。当二极管导通后被反向偏置，反向恢复峰值电流irrm较小，完成恢复所需要的时间更短(见图3)。 图3：具有快速体二极管恢复特性mosfet，反向恢复峰值电流较小，恢复时间缩短我们对比测试了标准的mosfet和快恢复mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如图4b所示。在q1 mosfet(hf)的导通工作期间，开关损耗降低了65%。采用std5nk52zd时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下，壳温从60°c降低到50°c)。在这种拓扑中，mosfet内部的体二极管用作续流二极管，采用具有快速体二极管恢复特性mosfet更为合适。 图4：a) q2采用标准mosfet的开状态操作； b) q2采用st公司的std5nk52zd mosfet开状态操作supe
联系人：
联系方式：
