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FDD6682

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FDD6682的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FDD6682外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：75A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.2 毫欧 @ 17A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2400pF @ 15V
  • 功率 - 最大：1.6W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：带卷 (TR)
FDD6682 相关信息
  • 大功率CPU核心电压供电电路的设计
    ...导通电流：(3)额定VDDS应该大于15V。在选择低端MOSFET时，RDS(ON)是最重要的考虑因素，因为在正常工作时，低端的MOSFET导通时间较长，因而功率消耗较大。因此在本设计中．每相在低端都使用了两个FDD6682，其导通电流为75A，在VGS为10V时(正常工作状态)，RDS(ON)，为6．2mΩ，额定VDDS为30V。对高端的MOSFET而言，门电荷Qg也是重要的考虑因素，要求其越低越好，否则会影响开关速度进而影响...
  • 降压式DC/DC转换器的MOSFET选择
    ...V(VCC是供控制器及驱动器的工作电压)，VOUT=1.5V，IO=65A(IO即IOUT(max))，fsw=228kHz，选择开关管及同步整流管(采用两个并联组成)。 初选快速开关管FDD6696为开关管(其Qg为17nC)，同步整流管选FDD6682(其RDS(on)=11.9mΩ)。其主要参数如表4所示。 开关管传导损耗PC(MF)计算 PC(MF)=D[(IO/nMF)2+1/12(n×IR/nMF)2]×RDS(on) 式中D为占空比(D=VIN/VOUT) ；IR为纹电流(IR=1/n×...
FDD6682相关热门型号
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